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I D25
HiPerFET TM Power MOSFETs
ISOPLUS247 TM
(Electrically Isolated Backside)
Single MOSFET Die
Avalanche Rated
Preliminary Data Sheet
IXFR 34N80 V DSS = 800
= 28
R DS(on) = 0.24
t rr ≤ 250 ns
V
A
?
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS 247 TM
E153432
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
800
800
V
V
V GS
V GSM
I D25
I DM
I AR
Continuous
Transient
T C = 25 ° C (MOSFET chip capability)
T C = 25 ° C, Note 1
T C = 25 ° C
± 20
± 30
28
600
150
V
V
A
A
A
G
D
G = Gate
S = Source
S
Isolated backside*
D = Drain
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
60
3
5
mJ
J
V/ns
* Patent pending
Features
P D
T J
T JM
T stg
T L
V ISOL
Weight
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
50/60 Hz, RMS t = 1 min
400
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
2500
5
W
° C
° C
° C
° C
V~
g
l
l
l
l
l
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Low drain to tab capacitance(<25pF)
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
l
Fast intrinsic Rectifier
Applications
Symbol
V DSS
Test Conditions
V GS = 0 V, I D = 3mA
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
150 V
l
l
l
l
DC-DC converters
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 8mA
2.0
4.0 V
l
AC motor control
I GSS
V GS = ± 20 V, V DS = 0
± 100 nA
Advantages
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = I T
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
100 μ A
2 mA
0.24 ?
l
l
l
Easy assembly
Space savings
High power density
Notes 2, 3
? 2000 IXYS All rights reserved
98674A (02/00)
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